用于異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的鍍膜方法以及鍍膜設(shè)備

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110645526.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113410343A 公開(kāi)（公告）日 2021-09-17
申請(qǐng)公布號(hào) CN113410343A 申請(qǐng)公布日 2021-09-17
分類號(hào) H01L31/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L21/67（2006.01）I;C23C14/22（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 歐陽(yáng)亮 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 理想萬(wàn)里暉真空裝備（泰興）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 225400江蘇省泰州市泰興高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)環(huán)溪路北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供用于制造異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)能電池的鍍膜方法以及鍍膜設(shè)備。該方法先將承載有經(jīng)制絨硅片的托盤傳送至第一本征PECVD反應(yīng)腔；然后對(duì)第一本征、N型、第二本征、P型PECVD反應(yīng)腔、第一、第二PVD腔同時(shí)抽真空；接著在第一本征PECVD反應(yīng)腔進(jìn)行第一本征PECVD工藝，從而在硅片正面形成第一本征非晶硅；然后將托盤分別傳送至N型、第二本征、P型PECVD反應(yīng)腔中分別進(jìn)行N型、第二本征、P型PECVD工藝，從而在第一本征非晶硅上形成N型非晶硅、在硅片背面上依次形成第二本征、P型非晶硅；接著將托盤傳送至第一、第二PVD腔，從而在N型、P型非晶硅形成第一、第二透明導(dǎo)電膜；最后對(duì)全部成膜腔同時(shí)破真空。本發(fā)明能減少破空次數(shù)，簡(jiǎn)化設(shè)備，降低成本，提升電池效率及良率。