異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110610151.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113363356A 公開（公告）日 2021-09-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN113363356A 申請(qǐng)公布日 2021-09-07
分類號(hào) H01L31/20（2006.01）I;H01L21/02（2006.01）I;H01L31/0352（2006.01）I;H01L31/0376（2006.01）I;H01L31/0747（2012.01）I;C23C14/08（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/50（2006.01）I;C23C28/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬哲國;王琳;吳科俊;汪訓(xùn)忠;張效國;鐘瀟 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 理想萬里暉真空裝備（泰興）有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 225400江蘇省泰州市泰興高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)環(huán)溪路北側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供異質(zhì)結(jié)太陽能電池及其制造方法。所述異質(zhì)結(jié)太陽能電池包括N型單晶硅片，所述N型單晶硅片的正面上依次形成有第一及第三本征非晶硅層、N型非晶硅層、第一透明導(dǎo)電膜以及第一電極，其反面上依次形成有第二及第四本征非晶硅層、P型非晶硅層、第二透明導(dǎo)電膜以及第二電極，其中第一以及第二本征非晶硅層通過工藝氣體為不摻氫的硅烷的第一本征PECVD工藝形成；所述第三本征非晶硅層通過工藝氣體包括二氧化碳、氫氣以及硅烷的第二本征PECVD工藝形成，其中二氧化碳與硅烷的體積比隨時(shí)間增加而在0.1?0.6的范圍內(nèi)增大；所述第四本征非晶硅層通過第三本征PECVD工藝形成，第三本征PECVD工藝的工藝氣體包括氫氣以及硅烷。本發(fā)明有助于提高電池轉(zhuǎn)換效率。