用于磁控濺射工藝腔室的磁場分布均勻化裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201910883185.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN110911263B | 公開(公告)日 | 2022-07-01 |
| 申請公布號 | CN110911263B | 申請公布日 | 2022-07-01 |
| 分類號 | H01J37/34(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 侯悅民 | 申請(專利權(quán))人 | 北京信息科技大學(xué) |
| 代理機構(gòu) | 北京金恒聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | - |
| 地址 | 100192北京市海淀區(qū)清河小營東路12號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種用于磁控濺射工藝腔室的磁場分布均勻化裝置。柔性四桿機構(gòu)連桿上一組磁鐵以不同運動軌跡相對于柔性四桿機構(gòu)機架做往復(fù)運動、并隨同連桿機構(gòu)做旋轉(zhuǎn)運動,從而形成非周期或者弱周期變化的非輻射性磁場分布。根據(jù)本發(fā)明的磁場分布均勻化裝置,可以使磁場分布呈非周期性或弱周期性、非輻射狀分布,從而可以提高磁場分布均勻性,進而能夠提高靶材濺射均勻性和靶材的利用率。本發(fā)明利用柔性四桿機構(gòu)連桿曲線特性和凸輪機構(gòu)實現(xiàn)磁場分布均勻化,從而提高工藝腔室內(nèi)流場均勻性及濺射速率,提高流場的可控性。 |





