一種復(fù)合薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610326908.0 申請日 -
公開（公告）號 CN107385412B 公開（公告）日 2019-08-06
申請公布號 CN107385412B 申請公布日 2019-08-06
分類號 C23C16/26;C23C16/50;C23C16/56;C23C16/52;C23C16/02;C23C14/14;C23C14/24;C23C14/34 分類 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 張偉;吉小超;于鶴龍;王紅美;汪勇;杜軍;周新遠 申請（專利權(quán)）人 北京睿曼科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究有限公司;中國人民解放軍裝甲兵工程學(xué)院
地址 100043 北京市石景山區(qū)金融街長安中心26號院5號樓2507
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種復(fù)合薄膜的制備方法，包括以下步驟：A)在基底表面制備金屬催化劑薄膜，將表面制備有金屬催化劑薄膜的基底再置于PECVD設(shè)備的反應(yīng)腔體中，將所述反應(yīng)腔體加熱，通入載氣與碳源氣體，接通電源，反應(yīng)后得到陣列碳納米管薄膜；B)關(guān)閉電源，停止通入碳源氣體，向所述反應(yīng)腔體中繼續(xù)通入載氣，接通電源對碳納米管薄膜進行刻蝕后關(guān)閉電源；C)將所述反應(yīng)腔體冷卻，通入反應(yīng)氣體后接通電源，反應(yīng)后得到復(fù)合薄膜。本發(fā)明提供了一種原位復(fù)合薄膜的制備方法。該方法利用等離子體增強化學(xué)氣相沉積方法在基底上制備陣列的碳納米管薄膜，在此基礎(chǔ)上繼續(xù)制備所需要的薄膜，通過控制工藝，實現(xiàn)基體薄膜與碳納米管的復(fù)合。