一種陣列碳納米薄膜的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610326454.7 申請日 -
公開（公告）號 CN107381539B 公開（公告）日 2019-10-25
申請公布號 CN107381539B 申請公布日 2019-10-25
分類號 C01B32/162 分類 無機化學;
發(fā)明人 張偉;吉小超;于鶴龍;王紅美;杜軍;郭蕾 申請（專利權(quán)）人 北京睿曼科技有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 北京睿曼科技有限公司;河北京津冀再制造產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究有限公司;中國人民解放軍裝甲兵工程學院
地址 100043 北京市石景山區(qū)金融街長安中心26號院5號樓2507
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種陣列碳納米管薄膜的制備方法，包括以下步驟：將基底置于PECVD腔體中的金屬網(wǎng)罩中，金屬網(wǎng)罩上方放置依次疊加的兩塊催化劑金屬板；在PEVCD腔體中通入反應氣體，加熱后接通電源，反應后在基底表面得到催化劑薄膜；將PEVCD腔體加熱后通入碳源和載氣，接通電源，反應后在基底表面得到陣列碳納米管薄膜。本申請催化劑薄膜和陣列碳納米管薄膜在同一PECVD腔體內(nèi)完成，且能夠?qū)崿F(xiàn)連續(xù)制備，提高了陣列碳納米管薄膜制備的效率；另一方面，低溫制備使得陣列碳納米管薄膜能夠應用于很多不耐高溫的領域。