一種多晶硅線痕片的制絨方法
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201210576671.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)(公告)號(hào) | CN103035780A | 公開(kāi)(公告)日 | 2013-04-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN103035780A | 申請(qǐng)公布日 | 2013-04-10 |
| 分類號(hào) | H01L31/18(2006.01)I;C30B33/10(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 許穎;武濤;趙釗;陳招銀;鄭煒 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 太陽(yáng)能光伏北京市工程研究中心有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京紐樂(lè)康知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 | 代理人 | 秦月貞 |
| 地址 | 101102 北京市通州區(qū)金橋科技產(chǎn)業(yè)基地景盛南四街19號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種多晶硅線痕片的制絨方法,包括以下步驟:(1)在8℃~10℃恒溫槽內(nèi)配制硝酸和氫氟酸的混合溶液,該混合溶液為制絨液;(2)將多晶硅線痕片進(jìn)行裝載,然后在制絨液中制絨清洗,清洗1~3分鐘;(3)制絨清洗后,將多晶硅線痕片依次進(jìn)行純水清洗、堿洗、第二次純水清洗、去離子清洗以及第三次純水清洗過(guò)程,然后將硅片在溫度為40℃的空氣下烘干,最后將硅片卸載,得到制絨后的硅片。本發(fā)明的有益效果為:工藝過(guò)程簡(jiǎn)單,便于操作,使用拋光和制絨一步處理,大大縮短了制絨反應(yīng)時(shí)間,同時(shí)處理后的多晶硅線痕片表面形成均勻絨面,有效去除了切割所產(chǎn)生的線痕,有利于提高太陽(yáng)能電池的工作效率,提高了電池的吸光能力。 |





