具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件及其制備方法以及清洗方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110356876.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN113235064A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-08-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113235064A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-10 |
| 分類(lèi)號(hào) | C23C14/56;B05D7/24;C23C14/22;C23G1/02 | 分類(lèi) | 對(duì)金屬材料的鍍覆；用金屬材料對(duì)材料的鍍覆；表面化學(xué)處理；金屬材料的擴(kuò)散處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆；金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 武雙元;朱峰;熊志紅;陳明;楊春雷;胡明珠;王偉;韓燕坤;彭燕君 | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 深圳仕上電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳中細(xì)軟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 田麗麗 |
| 地址 | 518000 廣東省深圳市寶安區(qū)福海街道新和社區(qū)暉信工業(yè)園B棟廠房1層2層、4層,C棟廠房1層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了一種具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件及其制備方法以及清洗方法，具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件，包括鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件和形成于所述鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件表面的犧牲層，所述犧牲層在清洗過(guò)程中被去除。對(duì)被雜質(zhì)層污染后的所述具有犧牲層的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件用酸清洗劑進(jìn)行清洗，所述清洗過(guò)程中，所述雜質(zhì)層和所述犧牲層均被去除，得到清洗后的鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件。本發(fā)明的清洗方法付不僅能夠清除掉雜質(zhì)層，同時(shí)不傷害原有鍍腔內(nèi)壁構(gòu)件。 |
