一種GaAs基DBR外延材料結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202020540978.8 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN211789981U | 公開（公告）日 | 2020-10-27 |
| 申請公布號(hào) | CN211789981U | 申請公布日 | 2020-10-27 |
| 分類號(hào) | H01S5/183(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 郭帥;馮巍 | 申請（專利權(quán)）人 | 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215151江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號(hào)出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號(hào)廠房 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實(shí)用新型提供一種GaAs基DBR外延材料結(jié)構(gòu)，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該結(jié)構(gòu)包括：GaAs襯底；在襯底上的緩沖層；在緩沖層上的AlGaAs過渡層；在過渡層上的AlGaAs/GaAs系DBR層；過渡層為Al組分從第一值至第二值漸變的AlxGa1?xAs漸變層，第一值小于第二值，DBR層中的前至少一對(duì)AlGaAs/GaAs層的Al組分值大于第二值。通過在緩沖層上設(shè)置漸變層，使得用于生長DBR層的表面的晶格常數(shù)從GaAs過渡為具有第二值組分的AlGaAs的晶格常數(shù)，從而能夠?qū)崿F(xiàn)DBR層的應(yīng)力平衡，大幅降低甚至消除生長DBR層時(shí)導(dǎo)致的外延片翹曲。?? |
