一種外延材料結(jié)構的結(jié)構參數(shù)確定方法及計算機程序產(chǎn)品

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010385227.8 申請日 -
公開（公告）號 CN111540420B 公開（公告）日 2020-08-14
申請公布號 CN111540420B 申請公布日 2020-08-14
分類號 G16C60/00(2019.01)I;G06N3/00(2006.01)I 分類 物理
發(fā)明人 郭帥;馮巍;謝小剛 申請（專利權）人 新磊半導體科技（蘇州）股份有限公司
代理機構 北京品源專利代理有限公司 代理人 新磊半導體科技（蘇州）有限公司
地址 215151江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種外延材料結(jié)構的結(jié)構參數(shù)確定方法及計算機程序產(chǎn)品，涉及半導體測試技術領域。該方法包括：提供外延材料結(jié)構的計劃結(jié)構參數(shù)；提供外延材料結(jié)構的XRD測試數(shù)據(jù)；根據(jù)預設擬合算法，對根據(jù)計劃結(jié)構參數(shù)計算獲得的外延材料結(jié)構的計劃XRD計算數(shù)據(jù)與XRD測試數(shù)據(jù)進行擬合，從而獲得經(jīng)修正的計劃結(jié)構參數(shù)；將經(jīng)修正的計劃結(jié)構參數(shù)作為外延材料結(jié)構的實際生長結(jié)構參數(shù)。在采用預設擬合算法對計劃結(jié)構參數(shù)進行修正操作時，通過進行添加新的膜層、減少已有的膜層、修正組分和厚度的修正操作，使得可以對計劃結(jié)構參數(shù)進行全方位的修正，而不局限于僅僅對組分和厚度的修正，從而可以獲得實際生長結(jié)構的更加準確的結(jié)構參數(shù)。??