一種利用分子束外延制備雪崩光電二極管的方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110641641.5 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113097349B 公開(kāi)（公告）日 2021-08-06
申請(qǐng)公布號(hào) CN113097349B 申請(qǐng)公布日 2021-08-06
分類號(hào) H01L31/18（2006.01）I;H01L31/107（2006.01）I;C23C16/30（2006.01）I;C23C16/52（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 郭帥;馮巍;杜全鋼;謝小剛 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 新磊半導(dǎo)體科技（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215151江蘇省蘇州市高新區(qū)建林路666號(hào)出口加工區(qū)配套工業(yè)園28號(hào)廠房
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種利用分子束外延制備雪崩光電二極管的方法，涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在InP襯底上依次沉積生長(zhǎng)N?InP層、N?InAlAs層、InAlAs倍增層和P?InAlAs電荷層；在電荷層上沉積生長(zhǎng)InAlGaAs漸變層，在沉積生長(zhǎng)漸變層的過(guò)程中，鋁源爐和鎵源爐中的一者采用變溫方式提供對(duì)應(yīng)的分子束，另一者采用脈沖方式提供對(duì)應(yīng)的分子束；在漸變層上沉積生長(zhǎng)InGaAs吸收層。通過(guò)在沉積生長(zhǎng)漸變層的過(guò)程中，鋁源爐和鎵源爐中的一者采用變溫方式提供對(duì)應(yīng)的分子束，另一者采用脈沖方式提供對(duì)應(yīng)的分子束，能夠?qū)崿F(xiàn)性能滿足需要的漸變層，避免了繁瑣復(fù)雜的四元系材料校準(zhǔn)程序，降低了生產(chǎn)成本。