一種氧化鎂次級發(fā)射體的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110595623.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113471034A 公開（公告）日 2021-10-01
申請公布號 CN113471034A 申請公布日 2021-10-01
分類號 H01J9/12（2006.01）I;C23C14/35（2006.01）I;C23C14/16（2006.01）I;C23C20/08（2006.01）I;C23C28/00（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王浩東;李誠迪;芮杰;鄧濤;張杰 申請（專利權）人 南京三樂集團有限公司
代理機構 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 代理人 陸志斌
地址 210009江蘇省南京市浦口經(jīng)濟開發(fā)區(qū)光明路5號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開來了一種氧化鎂次級發(fā)射體的制備方法，本發(fā)明以金屬鎳、銀、銀鎂合金作為靶材材料，交替濺射在發(fā)射極表面獲得復合過渡層。然后將復合過渡層的基體發(fā)射極與可揮發(fā)有機鎂鹽和氧化鋁粉制成的蒸發(fā)源分別放入真空設備中，抽真空后，對蒸發(fā)源加熱至200℃～300℃，對基體發(fā)射極加熱至600℃～900℃，再充入氧氣和氮氣，使發(fā)射極表面的復合層在氧氣氛圍中敏化，同時使鎂鹽在發(fā)射極表面分解并與氧氣反應生成氧化鎂直接附著在基體表面，即制成氧化鎂次級發(fā)射體。本發(fā)明銫束管用電子倍增器的次級發(fā)射體的制作方法，制得的氧化鎂膜更加致密和牢固，裝配此次級發(fā)射體的電子倍增器能滿足銫束管長時間連續(xù)使用的要求和銫束管的壽命要求。