一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911194944.6 申請日 -
公開（公告）號 CN110931368A 公開（公告）日 2021-04-30
申請公布號 CN110931368A 申請公布日 2021-04-30
分類號 H01L21/56;H01L21/48;H01L23/31;H01L23/367;H01L25/16 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王橋 申請（專利權(quán)）人 深圳揚(yáng)興科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 221000 江蘇省徐州市金山東路北側(cè)中國礦業(yè)大學(xué)國家大學(xué)科技園泉山科技樓209室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)及其制備方法，該方法包括以下步驟：在導(dǎo)熱基底的上表面形成多個容置凹腔，在每個所述容置凹腔中均設(shè)置一高散熱型半導(dǎo)體芯片，在所述導(dǎo)熱基底的上表面依次設(shè)置第一、第二、第三熱阻絕緣層，在所述第三熱阻絕緣層上沉積形成金屬布線層，在所述金屬布線層上設(shè)置多個低散熱型半導(dǎo)體芯片，使得每個所述低散熱型半導(dǎo)體芯片與相應(yīng)的所述高散熱型半導(dǎo)體芯片進(jìn)行電性連接；在所述金屬布線層上設(shè)置多個引腳，在所述導(dǎo)熱基底的四周邊緣處形成一環(huán)形凹槽；接著通過模塑工藝形成一封裝層，所述封裝層的一部分嵌入到所述環(huán)形凹槽中，最后減薄所述導(dǎo)熱基底。