一種R-T-B磁體及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202210271193.9 申請日 -
公開（公告）號 CN114373593B 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN114373593B 申請公布日 2022-07-05
分類號 H01F1/055（2006.01）I;H01F41/02（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 魏方允;王登興;朱偉;杜飛;胡蝶 申請（專利權(quán)）人 北京中科三環(huán)高技術(shù)股份有限公司
代理機構(gòu) 北京英創(chuàng)嘉友知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 315803浙江省寧波市北侖區(qū)科苑路18號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本公開涉及一種R?T?B磁體及其制備方法，所述R?T?B磁體的元素組成為：R1xR2yT100?x?y?z?u?a?b?cBzTiuCuaGabAc，R1為輕稀土元素中的至少一種，所述輕稀土元素包括Pr和Nd，R2為重稀土元素中的至少一種，所述重稀土元素包括Dy和Tb，T包括Fe和Co；A包括Al、Nb、Zr、Sn、Mn中的至少一種；其中，x、y、z、u、a、b、c為質(zhì)量百分比，且滿足：28%≤x+y≤30.5%，0.88%≤z≤0.92%，0.12%≤u≤0.15%，0≤a≤0.15%，0.15%≤b≤0.25%，0≤c≤2%。本公開通過Ti、B、Ga等元素的協(xié)同添加，解決了R2T17相比例較高的問題，使磁體具備高矯頑力和剩磁。