鈣鈦礦光伏組件光吸收層的薄膜晶化裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202120403949.1 申請日 -
公開（公告）號 CN214254460U 公開（公告）日 2021-09-21
申請公布號 CN214254460U 申請公布日 2021-09-21
分類號 H01L51/48（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李明;馮治華;邵君 申請（專利權(quán)）人 極電光能有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京清亦華知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 周慧云
地址 214101江蘇省無錫市錫山經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)東部園區(qū)大成路1098
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實(shí)用新型公開了鈣鈦礦光伏組件光吸收層的薄膜晶化裝置，該裝置包括：真空罩，所述真空罩罩在涂布基臺上；負(fù)壓箱，所述負(fù)壓箱通過抽氣管路與所述真空罩相連，所述負(fù)壓箱的體積大于所述真空罩的體積；抽氣閥門，所述抽氣閥門設(shè)在所述負(fù)壓箱與所述真空罩之間的抽氣管路上；真空泵，所述真空泵通過管路與所述負(fù)壓箱相連。該裝置通過負(fù)壓箱的設(shè)計(jì)，不需要大功率的真空泵也可以達(dá)到良好的低壓晶化效果，從而降低了設(shè)備成本。