一種MOSFET并聯(lián)電路布局

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310326544.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103582408B 公開（公告）日 2017-05-17
申請公布號 CN103582408B 申請公布日 2017-05-17
分類號 H05K13/04(2006.01)I 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 劉杰;佟炳然 申請（專利權）人 安徽華盈汽車技術有限公司
代理機構 天津濱?？凭曋R產權代理有限公司 代理人 天津中科華盈科技有限公司;安徽華盈汽車技術有限公司
地址 300304 天津市東麗區(qū)華明高新科技產業(yè)區(qū)華豐路6號F座2-3層
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種MOSFET并聯(lián)電路布局，具體的說是一種基于單層鋁基板的功率MOSFET三相并聯(lián)電路，主要用于電機驅動系統(tǒng)，這種電路基于單層鋁基板的三相MOSFET并聯(lián)電路，包括：在單層鋁基板上，由下至上分成3個區(qū)域，分別是U、V、W相區(qū)域，每個區(qū)域由上管并聯(lián)MOSFET模組和下管并聯(lián)MOSFET模組構成，整個三相并聯(lián)電路共有6排平行的并聯(lián)MOSFET模組，每一排模組中包括n個MOSFET。本發(fā)明這種電路布局是在傳統(tǒng)鋁基板上，通過專門設計的電路布局，可以以較小的板面積提供較大的功率密度和良好的熱均衡性。