一種能夠防止離子注入?yún)^(qū)邊界硅棱剝落的離子注入方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201510259857.X 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN104979171B 公開(kāi)（公告）日 2018-01-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN104979171B 申請(qǐng)公布日 2018-01-16
分類號(hào) H01L21/266 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李寧;付鵬;張思申;利陽(yáng);汪小軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安西岳電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 徐文權(quán)
地址 710068 陜西省西安市太白南路198號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種能夠防止離子注入?yún)^(qū)邊界硅棱剝落的離子注入方法，包括以下步驟：首先對(duì)硅片表面進(jìn)行處理，使硅片表面生長(zhǎng)氧化層；然后硅片上涂覆光刻膠；接著對(duì)硅片進(jìn)行離子注入；最后去除硅片表面的光刻膠。本發(fā)明通過(guò)對(duì)硅片表面進(jìn)行處理，可在硅片表面生長(zhǎng)超薄氧化層，避免硅片在去膠過(guò)程中生成上述硅棱，從而避免硅剝落問(wèn)題，減少表面缺陷并提高產(chǎn)品成品率。