一種基于PD SOI的二極管輔助觸發(fā)ESD保護(hù)電路

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201310109113.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN103178058B 公開（公告）日 2015-09-02
申請(qǐng)公布號(hào) CN103178058B 申請(qǐng)公布日 2015-09-02
分類號(hào) H01L27/02(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王忠芳;劉存生;蔣軼虎;高利軍;楊博;周鳳 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安西岳電子技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安通大專利代理有限責(zé)任公司 代理人 汪人和
地址 710054 陜西省西安市太乙路189號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種基于PD?SOI的二極管輔助觸發(fā)ESD保護(hù)電路，在該結(jié)構(gòu)中，柵極采用條形柵結(jié)構(gòu)，漏區(qū)和源區(qū)采用漏深源淺非對(duì)稱結(jié)構(gòu)，在漏端一側(cè)，除了進(jìn)行深N+注入外，還在漏端邊側(cè)和中間進(jìn)行P+注入，以形成P+N+二極管；在源端，同樣采取N+和P+間隔注入的方式，但源端的P+注入不應(yīng)太寬，且應(yīng)該和漏端相對(duì)應(yīng)的N+的中間位置對(duì)齊。源端的N+和P+無(wú)需通過(guò)SAB層覆蓋，在進(jìn)行硅化物工藝時(shí)可以短接在一起以形成體接觸。該結(jié)構(gòu)具有可調(diào)開啟電壓、抗輻照能力強(qiáng)、導(dǎo)通均勻性好和消除邊緣漏電等優(yōu)點(diǎn)，可以有效地應(yīng)用于輸入PAD、輸出PAD以及電源和地之間的ESD保護(hù)。