一種太陽能電池用多晶硅片的鈍化處理方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410024995.5 申請日 -
公開（公告）號 CN103715310B 公開（公告）日 2016-05-11
申請公布號 CN103715310B 申請公布日 2016-05-11
分類號 H01L31/18(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 沈明榮;張漫;蘇曉東 申請（專利權）人 常熟蘇大低碳應用技術研究院有限公司
代理機構 北京集佳知識產權代理有限公司 代理人 常亮
地址 215500 江蘇省蘇州市常熟東南經濟開發(fā)區(qū)東南大道68號1幢
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及晶體硅太陽能電池制作工藝，公開了一種簡單有效的太陽能電池用多晶硅片表面的鈍化處理方法，提供經過制絨、擴散和刻蝕處理的多晶硅片，去除表面的PSG；刻蝕去除多晶硅片的邊結；將多晶硅片浸沒于鈍化液中，同時在光照下利用鈍化液中的氫離子對多晶硅片表面進行鈍化處理；在多晶硅片表面沉積SiNx薄膜。本發(fā)明的鈍化方法步驟少，操作簡單易行；使用該鈍化方法進行鈍化之后的多晶硅片樣品的少子壽命可以得到明顯提高，進而提高了后續(xù)組件的穩(wěn)定性和效率。