過孔刻蝕方法和過孔刻蝕裝置
基本信息

| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202111493350.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(公告)號(hào) | CN114267587A | 公開(公告)日 | 2022-04-01 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN114267587A | 申請(qǐng)公布日 | 2022-04-01 |
| 分類號(hào) | H01L21/311(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 梅運(yùn)柱;賈馬龍;常李陽(yáng);張子曰;曹志文;李偉華;李陽(yáng) | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 合肥維信諾科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京華進(jìn)京聯(lián)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 吳娜娜 |
| 地址 | 230000安徽省合肥市新站區(qū)魏武路與新蚌埠路交口西南角 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及一種過孔刻蝕方法和過孔刻蝕裝置,先由第二膜層朝向基板的方向,在第二膜層的表面刻蝕過孔。當(dāng)刻蝕過孔產(chǎn)生的生成物的光強(qiáng)變化率到第一預(yù)設(shè)值時(shí),說明刻蝕過孔的位置到達(dá)第一膜層和第二膜層的界面。然后繼續(xù)刻蝕第一膜層形成過孔。在第二膜層刻蝕過孔時(shí),通過監(jiān)測(cè)過孔產(chǎn)生的生成物的光強(qiáng)變化率能夠大致判斷過孔的刻蝕位置。通過生成物的光強(qiáng)變化率判斷過孔刻蝕的位置可能會(huì)有監(jiān)測(cè)延遲帶來的誤差。由于第一膜層厚度已知,第一膜層的材料材質(zhì)和密度相對(duì)均勻,因此刻蝕第一膜層的速率容易控制。在刻蝕過孔的最后階段,通過控制刻蝕時(shí)間控制過孔在第一膜層的刻蝕的深度,能夠提高刻蝕第一過孔的終點(diǎn)位置的精度。 |





