摻磷單晶硅生產(chǎn)中防塵爆的抽真空方法及應(yīng)用其的摻磷單晶硅生產(chǎn)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010024633.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111172598A 公開(kāi)（公告）日 2020-05-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN111172598A 申請(qǐng)公布日 2020-05-19
分類號(hào) C30B35/00;C30B29/06;F17D1/04;F17D3/01 分類 晶體生長(zhǎng)〔3〕;
發(fā)明人 萬(wàn)軍召 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 鄭州合晶硅材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海脫穎律師事務(wù)所 代理人 鄭州合晶硅材料有限公司
地址 451171 河南省鄭州市鄭州航空港區(qū)鄭港六路藍(lán)山公館202號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種摻磷單晶硅生產(chǎn)中防塵爆的抽真空方法，用于生產(chǎn)摻磷單晶硅的單晶爐包括相互連通的主室和副室，所述副室設(shè)于所述主室上方；所述抽真空方法包括以下步驟：S1、采用第一管道將主閥和主泵依次連通到所述主室，并關(guān)閉所述主閥和主泵；S2、采用第二管道將輔助閥和副泵依次連通到所述副室，采用第三管道將快充閥連通至所述主室或所述副室；打開(kāi)所述輔助閥和副泵將所述單晶爐內(nèi)的空氣抽出，控制所述快充閥向所述單晶爐內(nèi)通入惰性氣體。通過(guò)上述抽真空方法，可以實(shí)現(xiàn)逐漸減少爐內(nèi)的空氣含量，在抽真空的同時(shí)不滿足塵爆條件；本發(fā)明中還提供了應(yīng)用該防塵爆的抽真空方法的摻磷單晶硅生產(chǎn)方法，提供了安全生產(chǎn)摻磷單晶硅的保證。