一種可以改善外延過程中毛邊缺陷的硅片結(jié)構(gòu)
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202021004322.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN211929434U | 公開（公告）日 | 2020-11-13 |
| 申請公布號 | CN211929434U | 申請公布日 | 2020-11-13 |
| 分類號 | H01L21/02(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 吳泓明;鐘佑生;黃郁璿 | 申請（專利權(quán)）人 | 鄭州合晶硅材料有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 鄭州聯(lián)科專利事務所（普通合伙） | 代理人 | 鄭州合晶硅材料有限公司 |
| 地址 | 450000河南省鄭州市航空港區(qū)鄭港六路藍山公館202號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請屬于半導體硅片結(jié)構(gòu)設計技術(shù)領域，具體涉及一種硅片結(jié)構(gòu)專利申請。從正面至背面，結(jié)構(gòu)依次為：硅片、硅片背面吸雜層，以及在吸雜層外部的若干層交替覆蓋或重疊覆蓋的具有保護作用的氧化層和無序硅晶格層；硅片為單晶硅片；吸雜層為多晶硅層或者通過機械損傷方式所形成的具有吸雜作用的層結(jié)構(gòu)；氧化層為二氧化硅層；無序硅晶格層為多晶硅、碳化硅或氮化硅。技術(shù)原理為：利用其無序硅晶格散亂無序的理化特點，當生長外延層時，可使晶核成長過程中的成長速率及方向相互牽制而無法長大成核。采用這種新的背面結(jié)構(gòu)設計后，較好克服了制備外延層過程中的毛邊缺陷問題，對于提高最終硅片產(chǎn)品良率具有較為積極的技術(shù)意義和較為實用的生產(chǎn)價值。?? |
