半導(dǎo)體晶體管外延結(jié)構(gòu)、其制備方法及半導(dǎo)體晶體管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110529996.5 申請日 -
公開（公告）號 CN113284947A 公開（公告）日 2021-08-20
申請公布號 CN113284947A 申請公布日 2021-08-20
分類號 H01L29/778（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李東昇;賈利芳;肖金平;逯永建 申請（專利權(quán)）人 杭州士蘭明芯科技有限公司
代理機構(gòu) 上海思捷知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉暢
地址 310012浙江省杭州市黃姑山路4號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體晶體管外延結(jié)構(gòu)、其制備方法及半導(dǎo)體晶體管，其中所述半導(dǎo)體晶體管外延結(jié)構(gòu)從下至上依次包括：襯底、成核層、緩沖層、溝道層、復(fù)合勢壘層以及P型層，其中，所述復(fù)合勢壘層包括依次層疊的第一勢壘層和第二勢壘層，且所述第二勢壘層的Al組分含量低于所述第一勢壘層的Al組分含量。即本發(fā)明提供的半導(dǎo)體晶體管外延結(jié)構(gòu)中含有復(fù)合勢壘層，能夠保證晶體質(zhì)量的同時，可以加強溝道二維電子氣的量子限制，減小電子遂穿幾率，從而更有效地緩解電流崩塌和柵極漏電流，提升晶體管器件性能。