深紫外發(fā)光二極管及其制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011283746.X | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN112510126A | 公開(kāi)（公告）日 | 2021-03-16 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN112510126A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-03-16 |
| 分類號(hào) | H01L33/44(2010.01)I;H01L33/24(2010.01)I;H01L33/46(2010.01)I;H01L33/18(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 范偉宏;薛脫;李東昇;張曉平;馬新剛;高默然;趙進(jìn)超 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京成創(chuàng)同維知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 蔡純;岳丹丹 |
| 地址 | 310018浙江省杭州市杭州經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)白楊街道10號(hào)大街300號(hào)1幢1層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 公開(kāi)了一種深紫外發(fā)光二極管及其制造方法，深紫外發(fā)光二極管包括外延層，外延層包括第一半導(dǎo)體層、多量子阱層以及第二半導(dǎo)體層，其中，外延層中包括第一臺(tái)階，第一臺(tái)階的一個(gè)臺(tái)階面為第二半導(dǎo)體層的表面，第一臺(tái)階的側(cè)壁為多量子阱層和第二半導(dǎo)體層的側(cè)壁，第一臺(tái)階的另一個(gè)臺(tái)階面為第一半導(dǎo)體層的表面；第一歐姆接觸層，與第一半導(dǎo)體層接觸；第二歐姆接觸層，與第二半導(dǎo)體層接觸。本申請(qǐng)通過(guò)在深紫外發(fā)光二極管的的外延層中形成陣列分布的第一臺(tái)階，并在第一臺(tái)階的側(cè)壁形成粗化表面，增加深紫外發(fā)光二極管的側(cè)壁面積比例，從而提高深紫外發(fā)光二極管的光提取效率。?? |
