一種強(qiáng)流霍爾離子源系統(tǒng)
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201110157976.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN102832091A | 公開(公告)日 | 2012-12-19 |
| 申請公布號 | CN102832091A | 申請公布日 | 2012-12-19 |
| 分類號 | H01J27/16(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 楊松濤 | 申請(專利權(quán))人 | 北京中科九章空間科技發(fā)展有限責(zé)任公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 100190 北京市海淀區(qū)北四環(huán)西路9號銀谷大廈907 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 一種強(qiáng)流霍爾離子源。通常,霍爾離子源產(chǎn)生的離子流密度與能量偏低,不能滿足較高要求的鍍膜需要。本發(fā)明的目的是要提供一種離子流密度與能量較高的強(qiáng)流霍爾離子源系統(tǒng)。 |





