一種薄膜封裝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN200910209246.9 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN101697343A 公開(kāi)（公告）日 2010-04-21
申請(qǐng)公布號(hào) CN101697343A 申請(qǐng)公布日 2010-04-21
分類(lèi)號(hào) H01L21/56(2006.01)I;H01L21/312(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 李豐;蘇文明 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 蘇州納科顯示技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州創(chuàng)元專(zhuān)利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 代理人 蘇州納科顯示技術(shù)有限公司;中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
地址 215125 江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)若水路398號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種薄膜封裝方法，采用PECVD法，在器件表面生長(zhǎng)薄膜的方式使器件與空氣中的水氧隔離，并達(dá)到物理保護(hù)的目的，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)器件封裝，具體的方法為：(1)將待封裝器件置于PECVD裝置中，設(shè)置掩膜板以控制封裝的區(qū)域；(2)利用有機(jī)硅前驅(qū)體，采用PECVD法，等離子條件下沉積無(wú)機(jī)層、聚合物層或過(guò)渡層；得到所需封裝結(jié)構(gòu)。本發(fā)明采用PECVD法可以在一個(gè)反應(yīng)腔就可以完成聚合物層、無(wú)機(jī)層和過(guò)渡層的制備，從而簡(jiǎn)化操作步驟、降低成本和縮短周期；同時(shí)制備的封裝層具有大量聚合物或者成分從柔軟聚合物漸變到氧化硅或氮化硅的過(guò)度層結(jié)構(gòu)，因而具有足夠的柔韌性，無(wú)界面問(wèn)題的影響。