超結結構及超結器件
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201911280302.8 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112993007A | 公開(公告)日 | 2021-06-18 |
| 申請公布號 | CN112993007A | 申請公布日 | 2021-06-18 |
| 分類號 | H01L29/06;H01L29/872;H01L29/78 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 周翔 | 申請(專利權)人 | 南通尚陽通集成電路有限公司 |
| 代理機構 | 上海浦一知識產權代理有限公司 | 代理人 | 郭四華 |
| 地址 | 226000 江蘇省南通市崇川區(qū)崇川路79號國際青創(chuàng)園1號樓18層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種超結結構,超結結構為由第一薄層和第二薄層交替排列而成的自然超結結構;第一薄層由具有自發(fā)極化的氮化鎵材料組成,第二薄層的材料為不同于氮化鎵的半導體材料且第二薄層的材料也具有自發(fā)極化,利用第一薄層和第二薄層的自發(fā)極化特性在第一薄層和第二薄層的界面處形成束縛電荷,束縛電荷有利于吸引載流子并在界面處形成導電溝道。本發(fā)明還公開了一種超結器件。本發(fā)明能形成電荷完全平衡的氮化鎵的超結結構,同時具有低比導通電阻和高擊穿電壓的優(yōu)勢。 |





