一種薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110888815.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113325612A 公開（公告）日 2021-08-31
申請公布號 CN113325612A 申請公布日 2021-08-31
分類號 G02F1/03（2006.01）I 分類 光學;
發(fā)明人 胡紫陽;陳力鋒;蔡文杰 申請（專利權(quán)）人 江蘇鈮奧光電科技有限公司
代理機構(gòu) 南京蘇高專利商標事務所（普通合伙） 代理人 柏尚春
地址 210003江蘇省南京市鼓樓區(qū)福建路洪廟一巷5號紅五月科創(chuàng)產(chǎn)業(yè)園1棟102
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器及制備方法，薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器包括從下到上布置的硅襯底、埋氧層和鈮酸鋰層，鈮酸鋰層上表面刻蝕形成薄膜鈮酸鋰光波導；薄膜鈮酸鋰光波導包括馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)；在馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)每條光波導臂兩側(cè)分別設(shè)置行波信號電極和行波接地電極，在行波信號電極和行波接地電極之間設(shè)置用于對光波導臂內(nèi)的光信號調(diào)制的電容負載型T結(jié)構(gòu)電極；馬赫曾德爾結(jié)構(gòu)每條光波導臂兩側(cè)和下方設(shè)置有用于降低微波信號有效折射率的鏤空隔離結(jié)構(gòu)。該種電光調(diào)制器在硅基襯底下實現(xiàn)了超低驅(qū)動電壓，超低微波損耗，超大電光帶寬的薄膜鈮酸鋰電光調(diào)制器，便于未來在光通信，光傳感，光集成等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)超高速，超低能耗的電光調(diào)制。