核殼量子點(diǎn)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管、量子點(diǎn)組合物、顯示器件

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010190452.6 申請日 -
公開（公告）號 CN111509142B 公開（公告）日 2022-01-18
申請公布號 CN111509142B 申請公布日 2022-01-18
分類號 H01L51/54（2006.01）I;H01L51/50（2006.01）I;B82Y30/00（2011.01）I;B82Y40/00（2011.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡保忠;毛雁宏;李光旭 申請（專利權(quán)）人 納晶科技股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 寧波聚禾專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 糜婧;顧賽喜
地址 310052浙江省杭州市濱江區(qū)長河街道秋溢路428號3幢3樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了核殼量子點(diǎn)、量子點(diǎn)發(fā)光二極管、量子點(diǎn)組合物、顯示器件。該核殼量子點(diǎn)包括量子點(diǎn)核以及由內(nèi)到外依次包覆在量子點(diǎn)核上的第一殼層、第二殼層和第三殼層，量子點(diǎn)核的材料為CdZnSe，第一殼層的材料為CdZnSeS，第二殼層的材料為ZnSeS，第三殼層的材料為CdZnS。本申請?zhí)峁┑暮藲ち孔狱c(diǎn)實(shí)現(xiàn)了空穴波函數(shù)與電子波函數(shù)的分離，使空穴波函數(shù)限域在量子點(diǎn)核中，電子波函數(shù)離域到第三殼層中，在保證發(fā)射峰在藍(lán)光范圍內(nèi)的同時，可以分別調(diào)節(jié)核殼量子點(diǎn)的空穴注入能力和電子注入能力，從而平衡載流子的注入。