一種高通量掩膜版及切換機構
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202022309143.4 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN214991796U | 公開(公告)日 | 2021-12-03 |
| 申請公布號 | CN214991796U | 申請公布日 | 2021-12-03 |
| 分類號 | C23C14/04(2006.01)I | 分類 | 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕; |
| 發(fā)明人 | 張曉軍;胡凱;姜鷺;方安安;陳志強;楊洪生;董帥;袁國亮;劉東方;尹曦;鄭曉昊 | 申請(專利權)人 | 深圳市矩陣多元科技有限公司 |
| 代理機構 | 深圳市華優(yōu)知識產權代理事務所(普通合伙) | 代理人 | 余薇 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)西麗街道朗山路28號通產新興產業(yè)園3號廠房1樓北側 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型適用于掩膜版技術領域,提供了一種高通量掩膜版及切換機構,包括:固定設置在基片上的第一掩膜版、以及設置在第一掩膜版一側的第二掩膜版,第一掩膜版與第二掩膜版之間設置有間隔,第一掩膜版上設有4個第一小孔,第二掩膜版上設有至少1個第二小孔;其中,第一小孔小于第二小孔,且第一小孔和第二小孔有一定的對應關系,第二小孔自轉三次能覆蓋所有的第一小孔。本實用新型通過在基片上設置的第一掩膜版以及間隔設置在第一掩膜版一側的第二掩膜,通過設置有間隔后,不直接接觸溫度影響降低,從而使得加熱對掩膜板的影響減??;而通過第一小孔和第二小孔,避免第二掩膜版多次旋轉后發(fā)生錯位,對位效果良好,便于推廣使用。 |





