薄膜沉積裝置及系統(tǒng)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201821225981.X 申請日 -
公開(公告)號 CN209178473U 公開(公告)日 2019-07-30
申請公布號 CN209178473U 申請公布日 2019-07-30
分類號 C23C16/27(2006.01)I 分類 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制〔2〕;
發(fā)明人 劉金章; 楊欣澤 申請(專利權)人 北京蜃景光電科技有限公司
代理機構 北京超凡志成知識產權代理事務所(普通合伙) 代理人 黃彩榮
地址 100000 北京市海淀區(qū)中關村大街甲38號1號樓B座16層089號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型公開了薄膜沉積裝置及系統(tǒng),涉及薄膜沉積技術領域。本實用新型提供的薄膜沉積裝置包括水平底座、沉積組件、加熱組件、混氣組件及抽真空組件。沉積組件包括沉積室、支架、基片臺、襯底及升降機構,升降機構使沉積室升降,沉積室能夠與水平底座密封連接并圍成密封的沉積空間。沉積室設置有第一進氣口和第二進氣口,混氣組件與第一進氣口密封連接,抽真空組件與第二進氣口密封連接。加熱組件包括均位于沉積空間內的電熱絲和二導電支撐柱。本實用新型還提供一種包括薄膜沉積裝置的薄膜沉積系統(tǒng)。本實用新型提供的薄膜沉積裝置及系統(tǒng)裝配方便,具有良好的沉積速度和均勻性,能夠保證金剛石薄膜產品的質量,也能夠保證電熱絲的使用壽命。