用于半導體晶棒生長的導流筒、生長裝置及生長方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110047576.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112877768A 公開（公告）日 2021-06-01
申請公布號 CN112877768A 申請公布日 2021-06-01
分類號 C30B15/00;C30B15/20 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 夏秋良 申請（專利權）人 新美光（蘇州）半導體科技有限公司
代理機構 北京超凡宏宇專利代理事務所（特殊普通合伙） 代理人 劉建榮
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城NW-20#107、108、109、110
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種用于半導體晶棒生長的導流筒、生長裝置及生長方法，涉及半導體材料制備技術領域。該導流筒由導流筒本體以及設置在所述導流筒本體外表面的硅涂層構成，其中，主要由高純硅材料制成的硅涂層表面粗糙度較現(xiàn)有的碳化硅涂層有明顯降低，表面平整致密，對于光熱反射率較高，可減少導流筒對于光熱的吸收，降低光熱損失；同時硅的導熱系數(shù)明顯低于碳化硅的導熱系數(shù)，故在導流筒本體表面設置硅涂層，可有效減少在半導體晶棒拉制過程的熱量損失，有利于熱場內(nèi)溫度的保持，同時降低半導體晶棒生長功率，達到了節(jié)能降耗的目的，可大幅度降低單晶拉制的生產(chǎn)成本。本發(fā)明還提供一種半導體晶棒生長裝置，包括上述導流筒。