用于大功率瞬態(tài)抑制二極管的氮化鋁基材及焊接方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202111237415.7 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113990836A 公開（公告）日 2022-01-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN113990836A 申請(qǐng)公布日 2022-01-28
分類號(hào) H01L23/498（2006.01）I;H01L23/552（2006.01）I;H01L21/48（2006.01）I;B23K31/02（2006.01）I;B23K101/36（2006.01）N 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 肖南海;周細(xì)應(yīng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 上海音特電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 上海創(chuàng)開專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 汪發(fā)成
地址 201502上海市金山區(qū)楓涇鎮(zhèn)曹黎路38弄25號(hào)1528室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了用于大功率瞬態(tài)抑制二極管的氮化鋁基材及焊接方法，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明采用氮化鋁基材作為導(dǎo)電框架，導(dǎo)電框架采用整面的氮化鋁基材作為表面，進(jìn)行鍍銅工藝制成焊接硅片管腳Pad；氮化鋁基材的連接方式使用金手指，氮化鋁基材的上部框架的折彎高度為加載芯片高度加上錫膏厚度之和的1.2倍；氮化鋁基材的正面覆銅。本發(fā)明減少了芯片熱擊穿失效的概率，大幅度解決了瞬變過程中的高di/dt瞬態(tài)產(chǎn)生的電磁干擾EMI問題，提高了芯片與基板之間的絕緣性；采用氮化鋁材料具有與芯片襯底Si相匹配的膨脹系數(shù)，降低了產(chǎn)品因膨脹系數(shù)差異的失效，在5G基站、新能源、電動(dòng)汽車等應(yīng)用場(chǎng)景具有很好的市場(chǎng)前景。