具有抗衰層的發(fā)光二極管

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201520930868.1 申請日 -
公開（公告）號 CN205231094U 公開（公告）日 2016-05-11
申請公布號 CN205231094U 申請公布日 2016-05-11
分類號 H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I;H01L33/30(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉暉;劉佩;張業(yè)民;陳宇;張榮勤;宋京 申請（專利權(quán)）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機構(gòu) 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種具有抗衰層的發(fā)光二極管，設(shè)有：一砷化鎵襯底，該砷化鎵襯底上設(shè)有分布布拉格反射器，分布布拉格反射器上設(shè)有n型砷磷化鋁銦抗衰層，n型砷磷化鋁銦抗衰層上設(shè)有n型限制層，n型限制層上設(shè)有構(gòu)成發(fā)光二極管的核心發(fā)光區(qū)域的多量子阱有源區(qū),多量子阱有源區(qū)上設(shè)有p型限制層；p型限制層上設(shè)有P型窗口層、P型窗口層上設(shè)有P型蓋帽層，通過上述層結(jié)構(gòu)的相互連接構(gòu)成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。本實用新型通過在分布布拉格反射器與n型磷化鋁銦限制層之間插入一層經(jīng)過設(shè)計的砷磷化鋁銦抗衰層，不僅可以降低載流子受到該界面處界面散射的幾率，增加了載流子注入效率，有效地降低了生長于其上的量子阱有源區(qū)的負(fù)面效應(yīng)：而且，還可以進(jìn)一步降低發(fā)光二極管的壽命衰減。