高磷組分砷磷化鎵光電陰極

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201621414767.X 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN206364046U 公開（公告）日 2017-07-28
申請(qǐng)公布號(hào) CN206364046U 申請(qǐng)公布日 2017-07-28
分類號(hào) H01L33/12(2010.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01J1/34(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 王曉暉;劉佩;陳宇;張業(yè)民 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 天津中環(huán)新光科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 天津三元專利商標(biāo)代理有限責(zé)任公司 代理人 天津中環(huán)新光科技有限公司
地址 300385 天津市西青區(qū)津港公路微電子工業(yè)區(qū)畢升道2號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種高磷組分砷磷化鎵光電陰極，設(shè)有：砷化鎵(GaAs)襯底、砷化鎵(GaAs)襯底上設(shè)置有砷化鎵(GaAs)緩沖層，砷化鎵(GaAs)緩沖層上設(shè)置有組分漸變緩沖層，組分漸變緩沖層上設(shè)置有變In組分的磷化鋁鎵銦的應(yīng)力調(diào)制層，應(yīng)力調(diào)制層上設(shè)置有P型目標(biāo)砷磷化鎵(GaAsxP1?x)光子發(fā)射層,目標(biāo)P型砷磷化鎵(GaAsxP1?x)光子發(fā)射層上設(shè)置有P型砷化鎵(GaAs)蓋帽層。本實(shí)用新型不僅降低了生長(zhǎng)目標(biāo)砷磷化鎵(GaAsP)光子發(fā)射層時(shí)存在的較大應(yīng)力，解決了高磷組分生長(zhǎng)厚度較厚時(shí)出現(xiàn)裂紋現(xiàn)象的問題，而且，有效地提高了高磷組分外延層的生長(zhǎng)厚度和晶體的質(zhì)量，有利于后續(xù)光電陰極器件的制備過程。