量子點核、核殼型量子點、其制備方法、量子點發(fā)光器件及量子點組合物

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911151340.3 申請日 -
公開（公告）號 CN112824479A 公開（公告）日 2021-05-21
申請公布號 CN112824479A 申請公布日 2021-05-21
分類號 C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00;H01L51/50 分類 染料；涂料；拋光劑；天然樹脂；黏合劑；其他類目不包含的組合物；其他類目不包含的材料的應(yīng)用;
發(fā)明人 陳小朋;蘇葉華 申請（專利權(quán)）人 浙江納晶科技有限公司
代理機構(gòu) 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司 代理人 張美月
地址 324004 浙江省衢州市柯城區(qū)高新片區(qū)海棠路12號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種量子點核、核殼型量子點、其制備方法、量子點發(fā)光器件及量子點組合物。該制備方法包括：提供銦前體、磷前體和溶劑，加熱反應(yīng)得到含InP量子點核的溶液；將含InP量子點核的溶液、含Zn源的溶液、第一陰離子前體和長鏈羧酸進行反應(yīng)，形成含表面改性的InP量子點核的溶液，第一陰離子前體中的第一陰離子包括Se，Zn源選自C原子數(shù)≤6的羧酸鋅，長鏈羧酸的主鏈骨架碳原子數(shù)為10～22。通過上述方法能夠在消除InP量子點核表面懸鍵的同時，在InP量子點核表面形成薄殼層包覆，從而可制得一類高穩(wěn)定性、高量子產(chǎn)率的InP量子點。