一種芯片端口的抗雷擊檢測(cè)方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911414685.3 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111103527B 公開（公告）日 2022-05-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN111103527B 申請(qǐng)公布日 2022-05-10
分類號(hào) G01R31/28（2006.01）I;G01R31/12（2006.01）I 分類 測(cè)量；測(cè)試;
發(fā)明人 郎靜;劉若曦;晁苗苗;李瀟;朱曉東;門萌萌 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 西安翔騰微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 710065陜西省西安市西安市高新一路25號(hào)創(chuàng)新大廈S303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種芯片端口的抗雷擊檢測(cè)方法，包括：分別獲取待測(cè)芯片端口相對(duì)于電源端、接地端及剩余芯片端口的電流電壓曲線；對(duì)待測(cè)芯片端口進(jìn)行雷電間接效應(yīng)試驗(yàn)；在雷電間接效應(yīng)試驗(yàn)后，再次獲取待測(cè)芯片端口相對(duì)于電源端、接地端及剩余芯片端口的電流電壓曲線；對(duì)待測(cè)芯片的性能和功能進(jìn)行測(cè)試，獲得雷電間接效應(yīng)試驗(yàn)后待測(cè)芯片的性能參數(shù)和功能參數(shù)；對(duì)雷電間接效應(yīng)試驗(yàn)前后的電流電壓曲線進(jìn)行對(duì)比，獲得曲線對(duì)比結(jié)果；根據(jù)性能參數(shù)、功能參數(shù)和曲線對(duì)比結(jié)果判斷待測(cè)芯片端口是否合格。本發(fā)明的芯片端口的抗雷擊檢測(cè)方法能夠在芯片經(jīng)受雷電間接效應(yīng)試驗(yàn)后且芯片功能和性能測(cè)試合格的情況下，檢測(cè)芯片端口的隱性損傷。