一種濕法硅片清洗方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610464167.2 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN105914137B 公開（公告）日 2019-07-26
申請公布號(hào) CN105914137B 申請公布日 2019-07-26
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I; B08B3/04（2006.01）I; B08B3/08（2006.01）I; B08B3/10（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 呂耀安 申請（專利權(quán)）人 安徽立查信息科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 102600 北京市大興區(qū)樂園路4號(hào)院2號(hào)樓3層1單元317
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種濕法硅片清洗方法，包括以下步驟：步驟1、使用硫酸、過氧化氫和去離子水的混合溶液清洗硅片上的有機(jī)物和金屬；步驟2、使用去離子水對硅片進(jìn)行沖洗；步驟3、在50℃～60℃的溫度下，使用氫氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化層；步驟4、使用去離子水對硅片進(jìn)行清洗；步驟5、在55℃～70℃的溫度下，在使用SC?1溶液對硅片進(jìn)行清洗；步驟6、使用去離子水對硅片進(jìn)行清洗；步驟7、在55℃～70℃的溫度下，使用SC?2溶液對硅片進(jìn)行清洗；步驟8、使用HF溶液對硅片進(jìn)行浸泡。本發(fā)明在清洗中使用了合適的溫度范圍，與現(xiàn)有的常溫的濕法清洗技術(shù)相比，反應(yīng)速率加快，則在相同的清洗程度之下，本發(fā)明所使用的氫氟酸等有害化學(xué)物質(zhì)減少。