納米SiC復合Mg?Si?Sn基熱電材料的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610057670.6 申請日 -
公開（公告）號 CN105525122B 公開（公告）日 2017-03-29
申請公布號 CN105525122B 申請公布日 2017-03-29
分類號 C22C1/05(2006.01)I;C22C1/10(2006.01)I;C22C23/00(2006.01)I;B22F3/105(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 張忻;鄭亮;劉洪亮;李松浩;周子群;張久興;劉燕琴 申請（專利權）人 中國冶金科技成果轉化有限公司
代理機構 北京思海天達知識產(chǎn)權代理有限公司 代理人 北京工業(yè)大學
地址 100080 北京市海淀區(qū)海淀大街8號A座7層706
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及納米SiC復合Mg?Si?Sn基熱電材料的制備方法。首先，采用感應熔煉設備將Mg、Si、Sn塊體原料熔煉成鑄錠，然后按化學式配比稱取的納米SiC粉末與破碎的鑄錠一并裝入球磨罐中，采用機械球磨設備在氬氣氣氛下進行一次球磨，然后將裝載一次球磨粉的石墨模具置于放電等離子燒結腔體中，在真空氣氛下燒結成塊體；再將燒結成的塊體破碎后，在氬氣氣氛下進行二次球磨，然后在真空氣氛下燒結得到高致密的Mg2Si1?xSnx/SiCy(0≤x≤1.0,0<y≤0.05)塊體。本發(fā)明成本低，適用成分范圍廣，操作簡單，可靠性好，可實現(xiàn)納米SiC顆粒在Mg2Si1?xSnx基體中的彌散分布，同時能夠細化基體晶粒尺寸，提高材料的致密度和可加工性。