一種基于CMOS的X光數(shù)字圖像傳感器
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN201721303859.5 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN207367979U | 公開(公告)日 | 2018-05-15 |
| 申請公布號 | CN207367979U | 申請公布日 | 2018-05-15 |
| 分類號 | H01L27/146;C23C14/24;C23C14/04;C23C14/06 | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 段明浩 | 申請(專利權(quán))人 | 西安瀚維光電科技有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 西安恒泰知識產(chǎn)權(quán)代理事務所 | 代理人 | 李鄭建 |
| 地址 | 710119 陜西省西安市上林苑一路15號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型公開了一種基于CMOS的X光數(shù)字圖像傳感器,包括摻雜碘化鉈的碘化銫閃爍體晶體薄膜和光學反射薄膜;摻雜碘化鉈的碘化銫閃爍體晶體薄膜直接蒸鍍于CMOS圖像傳感器芯片的感光面上,光學反射膜蒸鍍于閃爍體晶體膜上。本實用新型通過在CMOS芯片的感光面上直接蒸鍍微量摻雜碘化鉈的碘化銫閃爍體薄膜,可以實現(xiàn)碘化銫閃爍體薄膜與CMOS感光面的緊密的光學耦合,提高了X光圖像傳感器的光電轉(zhuǎn)換效率和圖像光學分辨率,并且,光學耦合效率的一致性、均勻性都超過傳統(tǒng)方式。此外,由于對圖像傳感器模組整體進行了納米級防護鍍膜,從而大大提高了對碘化銫閃爍體晶體薄膜的防水或防濕氣保護性能;實現(xiàn)在惡略環(huán)境下正常工作的目標。 |





