半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202220517452.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN216958033U | 公開(kāi)（公告）日 | 2022-07-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN216958033U | 申請(qǐng)公布日 | 2022-07-12 |
| 分類(lèi)號(hào) | H01L27/108（2006.01）I;H01L21/8242（2006.01）I | 分類(lèi) | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 張欽福;童宇誠(chéng) | 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京聿宏知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | - |
| 地址 | 362200福建省泉州市晉江市集成電路科學(xué)園聯(lián)華大道88號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置，包括陣列區(qū)以及圍繞著陣列區(qū)的周?chē)鷧^(qū)。陣列區(qū)包括多個(gè)有源區(qū)以及位于有源區(qū)之間的第一絕緣層。周?chē)鷧^(qū)包括周?chē)Y(jié)構(gòu)、圍繞著周?chē)Y(jié)構(gòu)的第二絕緣層，以及圍繞著第二絕緣層的第三絕緣層。至少一埋入式字線(xiàn)，延伸穿過(guò)陣列區(qū)及周?chē)鷧^(qū)，其中埋入式字線(xiàn)切過(guò)第二絕緣層的部分包括頸部輪廓，為埋入式字線(xiàn)沿線(xiàn)的最高電阻值處。當(dāng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括多條埋入式字線(xiàn)，本實(shí)用新型可使埋入式字線(xiàn)之間具有較一致的電阻值及信號(hào)延遲時(shí)間。 |
