一種半導(dǎo)體放電管及其制作方法、過電壓保護(hù)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110712130.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113314594A 公開（公告）日 2021-08-27
申請公布號 CN113314594A 申請公布日 2021-08-27
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H02H9/04（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡錦波;陳林 申請（專利權(quán)）人 馬鞍山市檳城電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 潘登
地址 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)湖西南路2189號5棟1號廠房南面
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體放電管及其制作方法、過電壓保護(hù)裝置。其中，半導(dǎo)體放電管的制作方法包括：在半導(dǎo)體襯底的任一器件單元區(qū)中，在半導(dǎo)體襯底上形成被第一導(dǎo)電類型的本體區(qū)所間隔的第二導(dǎo)電類型的第一擴(kuò)散區(qū)和第二擴(kuò)散區(qū)；在半導(dǎo)體襯底設(shè)置有第一擴(kuò)散區(qū)的一側(cè)形成凹槽；沿著凹槽向半導(dǎo)體襯底內(nèi)擴(kuò)散，以形成第一導(dǎo)電類型的第三擴(kuò)散區(qū)，第三擴(kuò)散區(qū)均與第一擴(kuò)散區(qū)和半導(dǎo)體襯底的本體區(qū)相接觸；在第一擴(kuò)散區(qū)內(nèi)形成第一導(dǎo)電類型的第四擴(kuò)散區(qū)，第三擴(kuò)散區(qū)和第四擴(kuò)散區(qū)間隔設(shè)置；形成對應(yīng)的第一導(dǎo)電塊，其中，第一導(dǎo)電塊與第一擴(kuò)散區(qū)和第四擴(kuò)散區(qū)電連接。本發(fā)明實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以降低雷擊浪涌時(shí)的殘壓。