一種半導(dǎo)體器件的制作方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110751038.2 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN113488377A 公開（公告）日 2021-10-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN113488377A 申請(qǐng)公布日 2021-10-08
分類號(hào) H01L21/027（2006.01）I;G03F7/20（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 蔡錦波;孫江濤 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 馬鞍山市檳城電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京品源專利代理有限公司 代理人 潘登
地址 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)湖西南路2189號(hào)5棟1號(hào)廠房南面
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明實(shí)施例公開了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該半導(dǎo)體器件的制作方法包括：第一制程、第二制程和第三制程中的一個(gè)或多個(gè)：其中，第一制程包括：在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第一保護(hù)層；通過(guò)激光工藝去除部分第一保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待摻雜區(qū)域的摻雜窗口；第二制程包括：在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第二保護(hù)層；通過(guò)激光工藝去除部分第二保護(hù)層，以形成暴露半導(dǎo)體襯底的待挖槽區(qū)域的溝槽窗口；對(duì)待挖槽區(qū)域進(jìn)行腐蝕處理，以形成溝槽；第三制程包括：在半導(dǎo)體襯底的至少一側(cè)形成第三保護(hù)層；通過(guò)激光工藝去除部分第三保護(hù)層，以形成電極窗口。本發(fā)明實(shí)施例的技術(shù)方案通過(guò)激光去除掩膜，替代光刻實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。