一種半導體放電管及過電壓保護裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202121451841.6 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN215955287U | 公開(公告)日 | 2022-03-04 |
| 申請公布號 | CN215955287U | 申請公布日 | 2022-03-04 |
| 分類號 | H01L29/06(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 蔡錦波;陳林 | 申請(專利權)人 | 馬鞍山市檳城電子有限公司 |
| 代理機構 | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 潘登 |
| 地址 | 243000安徽省馬鞍山市經(jīng)濟技術開發(fā)區(qū)湖西南路2189號5棟1號廠房南面 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本實用新型實施例公開了一種半導體放電管及過電壓保護裝置。其中,半導體放電管包括:第一導電類型的半導體襯底、第一導電塊和兩個電極;在半導體襯底的任一器件單元區(qū)中,在半導體襯底上設置有被第一導電類型的本體區(qū)所間隔的第二導電類型的第一擴散區(qū)和第二擴散區(qū);在半導體襯底設置有第一擴散區(qū)的一側設置有凹槽;沿著凹槽設置向半導體襯底內(nèi)延伸的第一導電類型的第三擴散區(qū),第三擴散區(qū)均與第一擴散區(qū)和半導體襯底的本體區(qū)相接觸;在第一擴散區(qū)內(nèi)設置有第一導電類型的第四擴散區(qū),第三擴散區(qū)和第四擴散區(qū)間隔設置;第一導電塊與第一擴散區(qū)和第四擴散區(qū)電連接。本實用新型實施例提供的技術方案可以降低雷擊浪涌時的殘壓。 |





