硅鍺合金薄膜材料的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201010301123.0 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN101880901A 公開（公告）日 2010-11-10
申請(qǐng)公布號(hào) CN101880901A 申請(qǐng)公布日 2010-11-10
分類號(hào) C25D3/56(2006.01)I 分類 電解或電泳工藝；其所用設(shè)備〔4〕;
發(fā)明人 李垚;辛伍紅;趙九蓬;孟祥東;劉昕 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 哈爾濱益材新材料有限公司
代理機(jī)構(gòu) 哈爾濱市松花江專利商標(biāo)事務(wù)所 代理人 韓末洙
地址 150001 黑龍江省哈爾濱市哈爾濱高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)科技創(chuàng)新城創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)廣場(chǎng)2號(hào)樓科技一街719號(hào)A406室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 硅鍺合金薄膜材料的制備方法，它屬于硅鍺合金薄膜領(lǐng)域。本發(fā)明解決了現(xiàn)有工藝制備硅鍺合金薄膜存在設(shè)備造價(jià)高、操作條件苛刻及使用氫氣使安全系數(shù)降低的問題。本發(fā)明方法如下：一、基片依次用丙酮、甲醇和超純水超聲清洗，然后自然晾干；二、配制電解液；三、采用三電極法進(jìn)行電沉積，即在基片表面獲得硅鍺合金薄膜材料。本發(fā)明采用三電極法進(jìn)行電沉積，所需設(shè)備造價(jià)低，方法簡(jiǎn)單，容易操作，反應(yīng)無需使用氫氣，提高生產(chǎn)的安全系數(shù)。