一種高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應(yīng)用
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202010822571.9 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN111849487B | 公開(公告)日 | 2021-09-28 |
| 申請公布號 | CN111849487B | 申請公布日 | 2021-09-28 |
| 分類號 | C09K13/06;H01L21/311;C07F7/18 | 分類 | 染料;涂料;拋光劑;天然樹脂;黏合劑;其他類目不包含的組合物;其他類目不包含的材料的應(yīng)用; |
| 發(fā)明人 | 王溯;孫紅旗;季崢;蔡進(jìn) | 申請(專利權(quán))人 | 上海新陽半導(dǎo)體材料股份有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 上海弼興律師事務(wù)所 | 代理人 | 王衛(wèi)彬;陳卓 |
| 地址 | 201616 上海市松江區(qū)思賢路3600號 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本發(fā)明公開了一種高選擇比氮化硅蝕刻液、其制備方法及應(yīng)用。該蝕刻液由下述原料制得,所述的原料包括以下質(zhì)量分?jǐn)?shù)的組分:75%?85%的磷酸、0.1%?12%的化合物A和3%?24%的水,所述的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為各組分質(zhì)量占各組分總質(zhì)量的百分比。本發(fā)明的蝕刻液對氧化硅和氮化硅的蝕刻速率選擇比適當(dāng)、能夠選擇性地去除氮化物膜、提升蝕刻液的壽命且能適應(yīng)層疊結(jié)構(gòu)層數(shù)的增加。 |





