一種二硫化鉬光電探測(cè)器及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202110419181.1 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113517357A 公開(kāi)（公告）日 2021-10-19
申請(qǐng)公布號(hào) CN113517357A 申請(qǐng)公布日 2021-10-19
分類號(hào) H01L31/0216（2014.01）I;H01L31/0232（2014.01）I;H01L31/113（2006.01）I;H01L31/18（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李浩文;夏國(guó)強(qiáng) 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 深圳網(wǎng)聯(lián)光儀科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市特訊知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孟智廣
地址 518000廣東省深圳市坪山區(qū)坪山街道六聯(lián)社區(qū)坪山大道2007號(hào)創(chuàng)新廣場(chǎng)A1804
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種二硫化鉬光電探測(cè)器及其制備方法，其中，所述二硫化鉬光電探測(cè)器包括自下而上設(shè)置的金屬反射層，絕緣介質(zhì)層，二硫化鉬層，以及彼此間隔設(shè)置在所述二硫化鉬層上的源電極和漏電極，所述漏電極包括電極部和光柵部。本發(fā)明的二硫化鉬光電探測(cè)器由于采用了金屬發(fā)射層作為底層，并且在漏電極上集成有光柵，這樣光電探測(cè)器漏電極和源電極兩端會(huì)形成明顯的光吸收差異，打破了漏電極和源電極兩端光電流大小的對(duì)稱性，增強(qiáng)了光電探測(cè)器的光響應(yīng)。