提高亞微米硅波導與普通單模光纖耦合效率的結構

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610159366.2 申請日 -
公開（公告）號 CN105607185A 公開（公告）日 2016-05-25
申請公布號 CN105607185A 申請公布日 2016-05-25
分類號 G02B6/122(2006.01)I 分類 光學;
發(fā)明人 楊林;賈浩;張磊 申請（專利權）人 宏芯科技（泉州）有限公司
代理機構 中科專利商標代理有限責任公司 代理人 中國科學院半導體研究所
地址 100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種提高亞微米硅波導與普通單模光纖耦合效率的結構。在該結構中，制作亞微米硅波導的基底材料為絕緣襯底上的硅晶片，其由下往上包含三層材料：襯底硅，埋氧層，頂層硅，其中埋氧層為摻雜的二氧化硅。在該晶片的頂層硅上通過光刻與刻蝕形成亞微米硅波導后，第一層摻雜的二氧化硅被淀積在該硅波導上方，將其完全包覆。該層摻雜的二氧化硅經(jīng)過光刻與刻蝕后，在其上方再淀積第二層摻雜的二氧化硅。這樣形成的二氧化硅波導作為與普通單模光纖的連接通道，可以減小亞微米硅波導與普通單模光纖耦合時的模場失配損耗和反射損耗，提高二者的耦合效率。