一種氮化鎵復(fù)合基板、氮化鎵器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> 2020111091601 申請日 -
公開（公告）號 CN112259604A 公開（公告）日 2021-01-22
申請公布號 CN112259604A 申請公布日 2021-01-22
分類號 H01L29/778(2006.01)I; 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 尹志軍;崔國新;馮會會;許志城 申請（專利權(quán)）人 南京南智先進光電集成技術(shù)研究院有限公司
代理機構(gòu) 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 逯長明;許偉群
地址 210000江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園團結(jié)路99號孵鷹大廈690室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種氮化鎵復(fù)合基板、氮化鎵器件及其制備方法，本申請?zhí)峁┑牡墢?fù)合基板在GaN/AlGaN異質(zhì)結(jié)界面中設(shè)置一層增效層，形成所述增效層具有較高的電子遷移率，進一步地，所述氮化鎵與所述增效層之間的躍遷能、所述增效層與鋁鎵氮之間的躍遷能均小于氮化鎵與鋁鎵氮之間的躍遷能，使得由氮化鎵至鋁鎵氮逐級躍遷而生成的二維電子氣能夠在所述增效層中快速遷移，提高二維電子氣遷移率，從而縮短氮化鎵器件的響應(yīng)時間。??