一種光學(xué)晶體吸收損耗的測量方法及裝置
基本信息

| 申請?zhí)?/td> | CN202011034655.2 | 申請日 | - |
| 公開(公告)號 | CN112179626A | 公開(公告)日 | 2021-01-05 |
| 申請公布號 | CN112179626A | 申請公布日 | 2021-01-05 |
| 分類號 | G01M11/02 | 分類 | 測量;測試; |
| 發(fā)明人 | 尹志軍;崔國新;倪榮萍;許志城 | 申請(專利權(quán))人 | 南京南智先進(jìn)光電集成技術(shù)研究院有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 北京弘權(quán)知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 南京南智先進(jìn)光電集成技術(shù)研究院有限公司 |
| 地址 | 210000 江蘇省南京市江北新區(qū)研創(chuàng)園團(tuán)結(jié)路99號孵鷹大廈690室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要

| 摘要 | 本申請?zhí)峁┮环N光學(xué)晶體吸收損耗的測量方法及裝置。所述方法包括:根據(jù)待測晶體和吸收損耗已知的標(biāo)準(zhǔn)晶體構(gòu)建測量系統(tǒng),其中,待測晶體與標(biāo)準(zhǔn)晶體關(guān)于預(yù)設(shè)基準(zhǔn)線軸對稱,拾音器位于基準(zhǔn)線的預(yù)設(shè)位置上,兩束初始參數(shù)相同的脈沖激光分別照射在待測晶體的目標(biāo)測點(diǎn)以及標(biāo)準(zhǔn)晶體的對稱測點(diǎn)上;利用構(gòu)建好的測量系統(tǒng)進(jìn)行測量時,在預(yù)設(shè)范圍內(nèi)調(diào)節(jié)兩束脈沖激光的相位差,利用拾音器獲取不同相位差下的聲波干涉強(qiáng)度,再結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)晶體的吸收損耗、脈沖激光的光強(qiáng)和標(biāo)準(zhǔn)晶體的尺寸,確定待測晶體的吸收損耗。整個過程中,拾音器無需設(shè)置在待測晶體表面,位置較為靈活,使得最終的測量結(jié)果不受待測晶體的形狀和拾音器擺放位置的影響,準(zhǔn)確度較高。 |





