一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201310668942.2 申請日 -
公開（公告）號 CN103696001A 公開（公告）日 2014-04-02
申請公布號 CN103696001A 申請公布日 2014-04-02
分類號 C30B29/06(2006.01)I;C30B28/06(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王土軍;徐聞韜;徐增宏 申請（專利權）人 浙江硅宏電子科技有限公司
代理機構 杭州九洲專利事務所有限公司 代理人 陳繼亮
地址 324300 浙江省衢州市開化縣華埠鎮(zhèn)華豐路28號硅宏
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種多晶硅鑄錠時的長晶控制方法，該方法包括下列步驟：A、將平鋪在坩堝底部的硅塊料部分溶化，余少部分作為長晶用，降溫至硅溶點以下，開始長晶；B、長晶初期，長晶速度控制在0.4-0.8mm/h，時間持續(xù)3-4h；C、長晶過渡期，長晶速度控制在0.8-1.2mm/h，時間持續(xù)在4-6h；D、長晶穩(wěn)定期，長晶速度控制在1.0-1.4mm/h，時間持續(xù)20-24h；E、長晶收尾期，長晶速度控制在0.8-1.0mm/h，時間持續(xù)6-8h。采用本發(fā)明，控制過程增加了長晶過渡期，長晶速度由慢至快，再由快至慢，使長晶處于相對均衡狀態(tài)，能減少長晶中的位錯，減少雜質沉積，有效地提高了光電轉換效率。據實驗數(shù)據表明，位錯率較原有工藝減少了20%以上。